Materijal koji već postoji u telefonima krije retku osobinu: Otkriće može da promeni memoriju i skladištenje energije

Materijal koji se već široko koristi u savremenoj elektronici mogao bi da dobije potpuno nove primene. Istraživači Univerziteta Nebraska–Linkoln dokazali su da je hafnijum-oksid prirodno antiferroelektričan, što je osobina karakteristična za veoma mali broj materijala.

Hafnijum-oksid već se koristi u elektronici zbog otpornosti na visoke temperature i kompatibilnosti sa savremenom proizvodnjom čipova. Međutim, naučnici su godinama raspravljali o tome da li ovaj materijal zaista poseduje antiferroelektrična svojstva.

Tim je sada napravio izuzetno tanak sloj hafnijum-oksida na kristalnoj podlozi i eksperimentalno pokazao da materijal može da prelazi između različitih električnih stanja. Rezultati istraživanja objavljeni su u časopisu Science.

Za buduću elektroniku posebno je važno što takvi materijali mogu veoma efikasno da primaju i oslobađaju energiju. Potencijalne primene obuhvataju memoriju velike gustine, skladištenje energije i nove sisteme hlađenja elektronike.

Dodatna prednost je što mnogi poznati antiferroelektrični materijali sadrže olovo, dok hafnijum-oksid ne zahteva taj toksični element. Još važnije, reč je o materijalu koji je već kompatibilan sa tehnologijama koje se koriste za proizvodnju današnjih računara i telefona.